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老化机理：

曾经被认为是老化的起因的有电子陷阱，偶极子转向，氧脱附和离子迁移，目前能证实的只有填隙锌离子迁移。一般认为老化是晶界现象，是由于耗尽层内离子迁移，而Zni是主要的迁移离子。

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ZnO压敏电阻器的限压原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS为浪涌电压，Zsourc为浪涌电压源的阻抗，如传输线的电阻或线圈的电感等，ZSIOV

为ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估，因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低频时大得多。

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