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压敏电阻的物理特性：

ＺｎＯ　压敏电阻的非线性是一种晶粒边界现象，即在相 邻晶粒耗尽层中存在多数电荷载流子（电子）的势垒。认 为肖特基势垒像　ＺｎＯ　微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界 上的负表面电荷（电子捕获）是由晶界面两侧晶粒的耗尽 层的正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传 输机制。 近发展的压敏电阻势垒的晶粒边界缺陷模型在改进 稳电压应力下，压敏电阻的稳定性上取得了很大进展。

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氧化锌压敏电阻器是一种以氧化锌为主体、添加多种金属氧化物、经典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元件。氧化锌陶瓷是

由氧化锌晶粒及晶界物质组成的，其中氧化锌晶粒中掺有施主杂质而呈N型半导体，晶界物质中含有大量金属氧化物形成大量界面态，这样每一微观单元是一个背靠背肖特基势垒，整个陶瓷就是由许多背靠背肖特基垫垒串并联的组合体。

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