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氧化锌压敏电阻的缺陷：

ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo，负一价和负二价的

VZn ，正一价的DZn。VZn主要在晶界处，VZn为受主态，使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒，约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态，是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。

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ZnO压敏电阻器的限压原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS为浪涌电压，Zsourc为浪涌电压源的阻抗，如传输线的电阻或线圈的电感等，ZSIOV

为ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估，因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低频时大得多。

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