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合理的配方和工艺是控制材料的化学成分和微观结构，获取优良的宏观物理性能的关键。而ZnO压敏陶瓷实验配方的设计是晶粒能否低压化的关键技术之一，各种元素的添加和量的控制直接影响材料的显微结构和晶界特性，进而决定压敏性能。ZnO本身的电性质对本征缺陷,尤其是对氧空位和锌填隙比较敏感,掺杂在压敏特性的形成过程中，影响烧结时晶粒的生长、液相在冷却时的去润湿作用以及陶瓷的电子缺陷态。到目前为止，人们对低压化及掺杂改性方面己经作了很多研究工作，得到了许多有价值的结果，如Co、Mn

、Sb等可改善非线性指数，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒绝缘和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善稳定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大电流非线性指数(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生长，Be、Ti、Sn则可促进晶粒生长。

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ZnO压敏电阻器的限压原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS为浪涌电压，Zsourc为浪涌电压源的阻抗，如传输线的电阻或线圈的电感等，ZSIOV

为ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估，因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低频时大得多。

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