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ZnO晶相位于晶粒体内，为低电阻率的半导体，对大电流特性有决定性作用。ZnO半导化的原因主要是氧不足导致的非化学计量比和施主掺杂，有大量的导电电子存在，为n型半导体。富铋相，约在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，温度低于850℃参与形成焦绿石相，超过850℃后从焦绿石相中分离出来，生成含

Cr的富铋相，含有尖晶石相和Zn，随着温度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有稳定尖晶石相的作用，高温冷却时，可以阻止生成焦绿石相。 焦绿石相700-900℃时形成，850℃时达到峰值，约950℃时消失，

反应式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于压敏电阻型号太多，篇幅有限，恕不一一呈现，欲知详请，欢迎拨打图片中的咨询电话与我们源林电子联系，谢谢！

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电容量C0

压敏电阻在导通前的电阻值很大，可视为电介质材料，两个电极之间存在着pF级的电容在工频下，如此之小的电容对被保护电路的正常工作几乎没有任何影响，但在高频或数字线路中，如不考虑压敏电阻的电容量，有时会造成信号失真或产生谐振。因此生产厂家应向用户提供压敏电阻的电容量参考数据（一般以峰值或典型值的方式），以便用户设计电路时参考。

源林电子是一家专业研发、生产压敏电阻的高科技电子元器件企业。主营压敏电阻、热敏电阻和温度传感器，自有研发团队，厂家直销！

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