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          限制电压比

          限制电压比是指在通流能力实验中通过特定电流时加在压敏电阻器两端的电压Up与压敏电压U1mA的比值。它体现了压敏电阻器在大电流通过时的非线性特性,限制电压比越小,越能起到保护电路的作用。通流值和限制电压比一同反映了压敏电阻工作特性的好坏,即是压敏电阻通流值越大越能吸收浪涌电流,限制电压比越小,分流作用就越明显,保护特性就越好。




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    为了观察烧结成品晶粒生长情况,气孔率,致密性等,分析元素的掺杂等对成品性能的影响,对制得的ZnO陶瓷成品断口进行观测。样品1与样品2相比较小且大小不等、杂乱无章,即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒,其中以小尺寸晶粒居多;(2)晶粒形貌呈现多样性生长趋势。(3)ZnO主晶相之间存在较多存在孔洞、缝隙。由2中可以看出:(1)ZnO平均晶粒尺寸为10

    ~15um,且小尺寸晶粒数量大量减少,尺寸生长比较均匀;(2)晶粒形貌大多呈现正多边形或圆形生长趋势、晶粒生长堆积紧密;总之,掺杂TiO2的样品与未掺杂TiO2的样品相比从显微结构上看晶粒形貌规整,结构均匀、致密,晶粒较大。样品3.ZnO主晶相之问存在较多存在孔洞、缝隙;图晶界出现了大量液相熔融,且晶界较宽,而且晶粒边缘有尖晶石相存在使晶粒长大受限;相比较样品2.晶粒尺寸又变的不均匀,出现极大和极小颗粒。总之,随着TiO2的加入ZnO压敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大,但加入量过多时,ZnO压敏陶瓷的电性能开始恶化。TiO2的掺杂会使氧化锌压敏陶瓷的平均晶粒明显增大,但掺杂量过多时会产生大量Zn2Ti04尖晶石相阻碍晶粒进一步长大。

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