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    介电特性:

    压敏电阻器类似一边界层电容器,视在介电常数很高。介电常数和介电损耗与频率,温度和所加的电压有关,在30-106°C的温度范围内,介电常数随温度升高而增大;介电常数随频率升高而下降;电容在低电场区域随所加电压的增加而降低,进入中电场区域随电压增大而急剧上升。

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    ZnO压敏电阻器的限压原理:

    VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其中VS为浪涌电压,Zsourc为浪涌电压源的阻抗,如传输线的电阻或线圈的电感等,ZSIOV

    ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估,因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分,其阻抗比低频时大得多。

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    氧化锌压敏电阻的缺陷:

    ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo,负一价和负二价的

    VZn ,正一价的DZn。VZn主要在晶界处,VZn为受主态,使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒,约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态,是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻,提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少,主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧,在晶界中形成大量的VZn和Vo,但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。

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