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电压比与残压UR

电压比指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。

残压UR是指特定波形的浪涌电流流入压敏电阻器时，它两端电压的峰值。一般来说，流入压敏电阻器的浪涌电流的峰值都在1mA以上，对通用压敏电阻和防雷型压敏电阻而言，所谓特定波形指的是IEC本60060-2: 1973标准规定的8/20 μs标准雷电流波形。

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压敏电压

压敏电压是指在电流为1mA时测得的压敏电阻器两端的电压降，它没考虑压敏电阻器的尺寸；E0.5是指在电流为0.5mA/cm2下测得的加在压敏电阻器上的电场强度；C值是指在电流为1A（也有的地方说1mA，但差别不大）时压敏电阻器两端的电压降。在n个相同的压敏电阻器串联或并联时C值的变化如下：

a）串联时电流不变，电压增大n倍，这时C值提高n倍，可利用压敏电阻器串联来提高工作电压。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并联时电压不变，电流增大n倍，C值几乎不变，可利用压敏电阻器的并联来提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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氧化锌压敏电阻的缺陷：

ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo，负一价和负二价的

VZn ，正一价的DZn。VZn主要在晶界处，VZn为受主态，使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒，约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态，是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。

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