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介电特性：

压敏电阻器类似一边界层电容器，视在介电常数很高。介电常数和介电损耗与频率，温度和所加的电压有关，在30-106°C的温度范围内，介电常数随温度升高而增大；介电常数随频率升高而下降；电容在低电场区域随所加电压的增加而降低，进入中电场区域随电压增大而急剧上升。

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压敏电阻交流作用下的老化机理

交流作用下。在正半周时，假设右侧为正极性，电压主要加在右侧的耗尽层上，使右侧的Zni向晶界迁移，而左侧所加电压很低，Zn

i向晶粒内迁移不大；在负半周，电压主要加在左侧，使左侧Zni向晶界迁移，右侧这时所加电压很低，Zni向晶粒体内迁移不大。总的结果是左右两侧的Zni都向晶界迁移。

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压敏电压和电阻器厚度的关系：

对ZnO压敏电阻器，加在每晶界上的电压约为3.5V，所以当晶粒大小一定时，压敏电阻器越厚，压敏电压越高，关系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

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