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压敏电压和电阻器厚度的关系：

对ZnO压敏电阻器，加在每晶界上的电压约为3.5V，所以当晶粒大小一定时，压敏电阻器越厚，压敏电压越高，关系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

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ZnO是六方晶系纤锌矿结构，其化学键处于离子键与共价键的中间键型状态，氧离子以六方密堆，锌离子占据一半的四面体空隙，锌和氧都是四面体配位。ZnO是相对开放的晶体结构，开放的结构对缺陷的性质及扩散机制有影响，所有的八面体间隙和一半的四面体间隙是空的，正负离子的配位数均为4，所以容易引入外部杂质，ZnO熔点为2248，密度为5.6g/cm3，纯净的ZnO晶体，其能带由02-的满的2p电子能级和Zn2+的空的4s能级组成，禁带宽度为3.2～3.4eV，因此，室温下，满足化学计量比的纯净ZnO应是绝缘体，而ZnO中常见的缺陷是金属填隙原子，所以它是金属过剩(Zn1+xO)非化学计量比n型半导体。

Eda等认为，在本征缺陷中，填隙锌原子扩散快，对压敏电阻稳定性有很大影响。

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能量吸收能力：

能量吸收能力Wmax=Vmax·Imax·tmax其中Imax由降额曲线上查到；Vmax可从I-V特性曲线上读取，对应Imax时的电压值；tmax可用矩形法求得，数据是用2ms方波，加100次脉冲，脉冲间隔120s，|ΔU1mA/ U1mA |≤10%所能吸收的能量。单位体积的能量吸收能力E上限为200-250J/cm3，也有报道超过1000J/cm3的

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