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压敏电阻交流作用下的老化机理

交流作用下。在正半周时，假设右侧为正极性，电压主要加在右侧的耗尽层上，使右侧的Zni向晶界迁移，而左侧所加电压很低，Zn

i向晶粒内迁移不大；在负半周，电压主要加在左侧，使左侧Zni向晶界迁移，右侧这时所加电压很低，Zni向晶粒体内迁移不大。总的结果是左右两侧的Zni都向晶界迁移。

源林电子是一家专业研发、生产压敏电阻的高科技电子元器件企业。主营压敏电阻、热敏电阻和温度传感器，自有研发团队，厂家直销！

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压敏电压

压敏电压是指在电流为1mA时测得的压敏电阻器两端的电压降，它没考虑压敏电阻器的尺寸；E0.5是指在电流为0.5mA/cm2下测得的加在压敏电阻器上的电场强度；C值是指在电流为1A（也有的地方说1mA，但差别不大）时压敏电阻器两端的电压降。在n个相同的压敏电阻器串联或并联时C值的变化如下：

a）串联时电流不变，电压增大n倍，这时C值提高n倍，可利用压敏电阻器串联来提高工作电压。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并联时电压不变，电流增大n倍，C值几乎不变，可利用压敏电阻器的并联来提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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静态电容量（PF）

静态电容量指压敏电阻器本身固有的电容容量。

响应时间τ

IEEE定义的压敏电阻的响应时间τ并不是压敏电阻材料本身的特性，而是由测试波形、引线、印制电路版的布线方式、外部测试连接线，以及它们所构成的磁环路等外部原因造成的，根据这一定义，对8/20 μs标准雷电流波或TS>8 μs的电流波，压敏电阻的响应时间τ＝0。

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