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电压抑制能力：

ZnO压敏电阻器的电压抑制能力保护级别PL=V2/V1或残压比=Umax/U1mAo。V2为给定大电流下的电压，V1为给定漏电流下的电压，

Umax为冲击电流流过时加在压敏电阻器上的峰值电压。

源林电子是一家专业研发、生产压敏电阻的高科技电子元器件企业。主营压敏电阻、热敏电阻和温度传感器，自有研发团队，厂家直销

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压敏电阻冲击电流作用下的老化机理

冲击电流作用下主要是热老化。能量迅速注入电阻片，温度升高很多，使离子的能量大为增加，迁移力增大，使反偏压侧的Zni，Bi3+等向晶界迁移。

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ZnO晶相位于晶粒体内，为低电阻率的半导体，对大电流特性有决定性作用。ZnO半导化的原因主要是氧不足导致的非化学计量比和施主掺杂，有大量的导电电子存在，为n型半导体。富铋相，约在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，温度低于850℃参与形成焦绿石相，超过850℃后从焦绿石相中分离出来，生成含

Cr的富铋相，含有尖晶石相和Zn，随着温度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有稳定尖晶石相的作用，高温冷却时，可以阻止生成焦绿石相。 焦绿石相700-900℃时形成，850℃时达到峰值，约950℃时消失，

反应式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

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