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晶粒边界到晶粒的电位陡降发生在≈５０￣１００ｎｍ　的距离内，称为耗尽层。这样， 在每个晶粒边界处都存在晶粒边界向两侧延展入相邻晶粒 的耗尽层。晶粒间存在耗尽层提高了压敏电阻的作用。 晶粒边界两侧两个耗尽层的存在，使得　 ＺｎＯ　 压敏电 阻对极性变化不敏感。在这一方面，压敏电阻像一个背对 背的二极管。进一步说，由于晶粒边界附近区域的电子被 耗尽，当施加外电压时，跨在晶粒边界上出现一电压降。 这被称作势垒电势，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒边界）。

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氧化锌压敏电阻器的参数选择

根据被保护电源电压选择压敏电阻器的规定电流下的电压V1mA。一般选择原则为：

对于直流回路：V1mA≥2.0VDC

对于交流回路：V1mA≥2.2V有效值

如果电器设备耐压水平Vo较低，而浪涌能量又比较大，则可选择压敏电压V1mA较低、片径较大的压敏电阻器；如果Vo较高，则可选择压敏电压V1mA较高的压敏电阻器，这样既可以保护电器设备，又能延长压敏电阻使用寿命。

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ZnO晶相位于晶粒体内，为低电阻率的半导体，对大电流特性有决定性作用。ZnO半导化的原因主要是氧不足导致的非化学计量比和施主掺杂，有大量的导电电子存在，为n型半导体。富铋相，约在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，温度低于850℃参与形成焦绿石相，超过850℃后从焦绿石相中分离出来，生成含

Cr的富铋相，含有尖晶石相和Zn，随着温度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有稳定尖晶石相的作用，高温冷却时，可以阻止生成焦绿石相。 焦绿石相700-900℃时形成，850℃时达到峰值，约950℃时消失，

反应式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于压敏电阻型号太多，篇幅有限，恕不一一呈现，欲知详请，欢迎拨打图片中的咨询电话与我们源林电子联系，谢谢！

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