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ＺｎＯ　压敏电阻的微观结构分析发现，形成的四个主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦绿石和一些富　Ｂｉ　相（图　３）。图 中也指明了组分存在的部位，安防系统压敏电阻，还存在一些用现有技术尚不 易检测出来的其它次要相。 ＺｎＯ　压敏电阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之间， 并且也总是伴有双晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生长，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　则加速晶粒长大。尖晶石和焦绿石相对晶粒长大有 抑制作用。焦绿石相在低温时起作用，而尖晶石相在高温 时有利。当用盐酸浸蚀晶粒时，中间相呈现出在电性上绝 缘的三维网络。 烧结形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　压敏电阻的基本构成单纯　ＺｎＯ　是具有线性　Ｉ－Ｕ　特性的非化学计量　ｎ　型半导 体。进入　 ＺｎＯ　 中的各种添加物使其具有非线性。这些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。这些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 边界处形成原子缺陷，施主或类施主缺陷支配着耗尽层， 而受主和类受主缺陷支配着晶粒边界状态。相关的缺陷类 型是锌空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙锌

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氧化锌压敏电阻的缺陷：

ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo，负一价和负二价的

VZn ，正一价的DZn。VZn主要在晶界处，VZn为受主态，压敏电阻，使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒，约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态，是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻，电动机保护压敏电阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。

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压敏电压U1mA

压敏电阻的电流为1mA时所对应的电压作为I随U迅速上升的电压大小的标准，该电压用U1mA表示，称为压敏电压。压敏电压是ZnO压敏电阻器伏安曲线中预击穿区和击穿区转折点的一个参数，一般情况下是一般情况下是1mA（Φ5 产品为0.1mA）直流电流通过时，产品的两端的电压值，其偏差为±0.1%。

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