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ZnO晶相位于晶粒体内，为低电阻率的半导体，对大电流特性有决定性作用。ZnO半导化的原因主要是氧不足导致的非化学计量比和施主掺杂，有大量的导电电子存在，为n型半导体。富铋相，约在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，温度低于850℃参与形成焦绿石相，超过850℃后从焦绿石相中分离出来，生成含

Cr的富铋相，含有尖晶石相和Zn，随着温度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有稳定尖晶石相的作用，高温冷却时，可以阻止生成焦绿石相。 焦绿石相700-900℃时形成，850℃时达到峰值，约950℃时消失，

反应式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

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低电场区域的漏电流

漏电流包括阻性和容性两部分，交流电压下容性电流比阻性电流大得多。温度升高或电场增大，阻性电流增大。压敏电压的温度系数在-10-4/℃—-10-3/℃之间，计算公式如下：

T=dU1mA/(U1mAdT)

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压敏电阻直流作用下的老化机理

直流作用下。反偏压侧的Zni向晶界迁移，中和了部分VZn，使表面受主态密度下降，势垒降低，阻性电流增大。直流电压作用下的老化不对称，是因为测试电压极性如与老化时加的电压一致，电压主要加在正极性侧的耗尽层上，而这一侧可迁移的填隙锌离子已不多；如极性相反，则电压主要加在另一侧的耗尽层上，而这侧有大量的填隙锌离子，所以阻性电流大。

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