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压敏电阻交流作用下的老化机理

交流作用下。在正半周时，假设右侧为正极性，电压主要加在右侧的耗尽层上，使右侧的Zni向晶界迁移，而左侧所加电压很低，Zn

i向晶粒内迁移不大；在负半周，电压主要加在左侧，使左侧Zni向晶界迁移，右侧这时所加电压很低，Zni向晶粒体内迁移不大。总的结果是左右两侧的Zni都向晶界迁移。

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残压比KR  

通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。

残压比KR的定义公式为：

KR =UR/UN

残压比可以比较直观地反应出压敏电阻限制过电压的能力，在压敏材料的研究工作中已得到广泛的应用，在防雷压敏电阻、避雷器阀片和高能型压敏电阻阀片中以成为标准电性能参数。

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zno压敏电阻是半导体电子陶瓷器件，主要功能是 识别和限制瞬态过电压，反复使用而不损坏。它的电流 （Ｉ）—电压（Ｕ）特性是非线性的，与稳压二极管相似。 但与二极管不同，压敏电阻能限制的过电压在两个极性上 相等，于是呈现的　 Ｉ－Ｕ　 特性很象两个背对背的二极管。 压敏电阻能用于交流和直流电场，电压范围从几伏到几千 伏，电流范围从毫安到几千安。压敏电阻还附加有高能量 吸收能力的特性，范围从几焦耳到几千焦耳。它的通用性 使得压敏电阻在半导体工业和电力工业都有应用。 ＺｎＯ　压敏电阻是用半导体　ＺｎＯ　粉末和其它氧化物粉末 如：Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ　等经过混合、压型和烧 结工艺而制成。得到的产品是具有晶界特性的多晶陶瓷， 这一边界特性决定了压敏电阻的非线性　Ｉ－Ｕ　特性。 ＺｎＯ　压敏电阻的基本特性包括电学特性、物理特性和 化学特性。微观结构是体现这些性质的媒介，是　ＺｎＯ　压敏 电阻的基础。

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