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静态电容量（PF）

静态电容量指压敏电阻器本身固有的电容容量。

响应时间τ

IEEE定义的压敏电阻的响应时间τ并不是压敏电阻材料本身的特性，而是由测试波形、引线、印制电路版的布线方式、外部测试连接线，以及它们所构成的磁环路等外部原因造成的，根据这一定义，对8/20 μs标准雷电流波或TS>8 μs的电流波，压敏电阻的响应时间τ＝0。

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氧化锌压敏电阻的缺陷：

ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo，负一价和负二价的

VZn ，正一价的DZn。VZn主要在晶界处，VZn为受主态，使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒，约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态，是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。

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非线性区域：

中电场区为非线性区域，也是压敏电阻器应用中重要的区域，导电机理主要是隧道电流及空穴生成降低势垒。如只考虑隧道效应J = J0exp(-λ/E)，λ为3π(2m)1/2φ3/2/2he,E为耗尽层中的电场强度，算出的a值低于50。

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