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ZnO是六方晶系纤锌矿结构，其化学键处于离子键与共价键的中间键型状态，氧离子以六方密堆，锌离子占据一半的四面体空隙，锌和氧都是四面体配位。ZnO是相对开放的晶体结构，开放的结构对缺陷的性质及扩散机制有影响，所有的八面体间隙和一半的四面体间隙是空的，正负离子的配位数均为4，所以容易引入外部杂质，ZnO熔点为2248，密度为5.6g/cm3，纯净的ZnO晶体，其能带由02-的满的2p电子能级和Zn2+的空的4s能级组成，禁带宽度为3.2～3.4eV，因此，室温下，满足化学计量比的纯净ZnO应是绝缘体，而ZnO中常见的缺陷是金属填隙原子，所以它是金属过剩(Zn1+xO)非化学计量比n型半导体。

Eda等认为，在本征缺陷中，填隙锌原子扩散快，对压敏电阻稳定性有很大影响。

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连续工作电压MCOV

连续工作电压MCOV指的是压敏电阻在应用时能长期承受的直流电压UDC或交流电压有效值URMS直流电压的值为80%~92%U1mA，或产品在85℃下，正常工作1000h，施加的直流电压；交流电压的值为60%~65%U1mA，或产品在85℃下，正常工作1000h，施加的交流电压。

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低电场区域的漏电流

漏电流包括阻性和容性两部分，交流电压下容性电流比阻性电流大得多。温度升高或电场增大，阻性电流增大。压敏电压的温度系数在-10-4/℃—-10-3/℃之间，计算公式如下：

T=dU1mA/(U1mAdT)

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