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残压比KR  

通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。

残压比KR的定义公式为：

KR =UR/UN

残压比可以比较直观地反应出压敏电阻限制过电压的能力，在压敏材料的研究工作中已得到广泛的应用，在防雷压敏电阻、避雷器阀片和高能型压敏电阻阀片中以成为标准电性能参数。

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通流容量：

通流容量是指施加规定波形的冲击电流和冲击次数，冲击后压敏电压的变化小于或等于规定值时所能通过的电流。它和脉冲幅度，脉冲持续时间及应用中所要承受的脉冲次数有关，可从降额曲线中查得。测量时一般施加8*20μs或2ms的方波。

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ZnO压敏电阻器的结构：

晶粒体为电阻率很低的半导体，晶界为绝缘体，类似边界层电容器，另在晶界形成两背靠背的肖特基势垒。因邻近晶粒的取向不同，两晶粒交界处结构松弛，杂质占据这些位置比占据体内晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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