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通流容量：

通流容量是指施加规定波形的冲击电流和冲击次数，冲击后压敏电压的变化小于或等于规定值时所能通过的电流。它和脉冲幅度，脉冲持续时间及应用中所要承受的脉冲次数有关，可从降额曲线中查得。测量时一般施加8*20μs或2ms的方波。

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ＺｎＯ　压敏电阻的微观结构分析发现，形成的四个主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦绿石和一些富　Ｂｉ　相（图　３）。图 中也指明了组分存在的部位，还存在一些用现有技术尚不 易检测出来的其它次要相。 ＺｎＯ　压敏电阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之间， 并且也总是伴有双晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生长，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　则加速晶粒长大。尖晶石和焦绿石相对晶粒长大有 抑制作用。焦绿石相在低温时起作用，而尖晶石相在高温 时有利。当用盐酸浸蚀晶粒时，中间相呈现出在电性上绝 缘的三维网络。 烧结形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　压敏电阻的基本构成单纯　ＺｎＯ　是具有线性　Ｉ－Ｕ　特性的非化学计量　ｎ　型半导 体。进入　 ＺｎＯ　 中的各种添加物使其具有非线性。这些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。这些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 边界处形成原子缺陷，施主或类施主缺陷支配着耗尽层， 而受主和类受主缺陷支配着晶粒边界状态。相关的缺陷类 型是锌空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙锌

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压敏电阻连续工作电压寿命，即压敏电阻在规定环境和系统电压条件下应能可靠地工作规定的时间（h）。由于压敏电阻总是承受着稳态工作电压应力的作用，压敏电阻的寿命是与漏电流密切相关的。在不发生机械或其他电气性能失效的情况下，压敏电阻的寿命主要由漏电流IR（密度JR）及其温度、电压和时间的上升情况所决定。随着漏电流IR（密度JR）升高，发热量增大，若这个能量不能散失，元件的温度会很快上升，这种元件在维持一段初始稳定状态后，终将达到热失控（击穿）的温度而结束其使用寿命。

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