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介电特性:
压敏电阻器类似一边界层电容器,视在介电常数很高。介电常数和介电损耗与频率,温度和所加的电压有关,在30-106°C的温度范围内,介电常数随温度升高而增大;介电常数随频率升高而下降;电容在低电场区域随所加电压的增加而降低,进入中电场区域随电压增大而急剧上升。
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低电场区域的漏电流
漏电流包括阻性和容性两部分,交流电压下容性电流比阻性电流大得多。温度升高或电场增大,阻性电流增大。压敏电压的温度系数在-10-4/℃—-10-3/℃之间,计算公式如下:
T=dU1mA/(U1mAdT)
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ZnO压敏电阻器的结构:
晶粒体为电阻率很低的半导体,晶界为绝缘体,类似边界层电容器,另在晶界形成两背靠背的肖特基势垒。因邻近晶粒的取向不同,两晶粒交界处结构松弛,杂质占据这些位置比占据体内晶格位置的能量低,所以容易在晶界偏析。
源林电子是一家专业研发、生产压敏电阻的高科技电子元器件企业。主营压敏电阻、热敏电阻和温度传感器,自有研发团队,厂家直销!
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