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ZnO压敏电阻器的结构：

晶粒体为电阻率很低的半导体，晶界为绝缘体，类似边界层电容器，另在晶界形成两背靠背的肖特基势垒。因邻近晶粒的取向不同，两晶粒交界处结构松弛，杂质占据这些位置比占据体内晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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氧化锌压敏电阻因具有良好的非线性特性而成为低压电源系统和信息系统中电涌防护的主要设施。其可靠性主要取决于压敏电阻耐受电涌冲击的能力。一个性能良好的氧化锌压敏电阻在经受电涌冲击以后,其电气特性应返回到初始状态。然而在运行过程中,由于经受诸如电应力、机械应力等各种应力的作用,压敏电阻会出现性能劣化和老化现象,这就降低了压敏电阻电涌防护的能力。研究人员采用了多种测量及诊断装置来研究压敏电阻的老化机理及检测金属氧化物压敏电阻内部的状态[1～2]。一般经常采用的方法是测量直流1mA下压敏电阻两端的电压或者测量压敏电阻在一定幅值8/20电流冲击下的残压来对压敏电阻的电气性能进行分析判断。但是这些测试方法只能反映压敏电阻的整体性能,不能反映压敏电阻的老化及劣化的程度,所以无法为判断压敏电阻的性能状态提供可靠的判据。

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老化的表现：

老化是指在各种外加应力及外界因素作用下，其性能及电气物理参数发生改变，逐步偏离其起始性能指标。ZnO压敏电阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在预击穿区，而击穿区的老化较小，表现为I-V特性曲线在低电场区向右偏移，阻性电流加大，功率损耗增大，压敏电压下降。直流电压作用后的老化，I-V特性不对称；交流电压作用下的老化。另老化后电容量减小，介电损耗增大。

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