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东莞市源林电子科技有限公司
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    残压比KR  

    通过压敏电阻器的电流为某一值时,在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。

    残压比KR的定义公式为:

    KR =UR/UN

    残压比可以比较直观地反应出压敏电阻限制过电压的能力,在压敏材料的研究工作中已得到广泛的应用,在防雷压敏电阻、避雷器阀片和高能型压敏电阻阀片中以成为标准电性能参数。

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    电容量C0

    压敏电阻在导通前的电阻值很大,可视为电介质材料,两个电极之间存在着pF级的电容在工频下,如此之小的电容对被保护电路的正常工作几乎没有任何影响,但在高频或数字线路中,如不考虑压敏电阻的电容量,有时会造成信号失真或产生谐振。因此生产厂家应向用户提供压敏电阻的电容量参考数据(一般以峰值或典型值的方式),以便用户设计电路时参考。

    源林电子是一家专业研发、生产压敏电阻的高科技电子元器件企业。主营压敏电阻、热敏电阻和温度传感器,自有研发团队,厂家直销!




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    压敏电阻的物理特性:

    ZnO 压敏电阻的非线性是一种晶粒边界现象,即在相 邻晶粒耗尽层中存在多数电荷载流子(电子)的势垒。认 为肖特基势垒像 ZnO 微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界 上的负表面电荷(电子捕获)是由晶界面两侧晶粒的耗尽 层的正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传 输机制。 近发展的压敏电阻势垒的晶粒边界缺陷模型在改进 稳电压应力下,压敏电阻的稳定性上取得了很大进展。

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