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压敏电压和电阻器厚度的关系:
对ZnO压敏电阻器,加在每晶界上的电压约为3.5V,所以当晶粒大小一定时,压敏电阻器越厚,压敏电压越高,关系如下:
U=UgbNgt , E0.5=U/t
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压敏电阻连续工作电压寿命,即压敏电阻在规定环境和系统电压条件下应能可靠地工作规定的时间(h)。由于压敏电阻总是承受着稳态工作电压应力的作用,压敏电阻的寿命是与漏电流密切相关的。在不发生机械或其他电气性能失效的情况下,压敏电阻的寿命主要由漏电流IR(密度JR)及其温度、电压和时间的上升情况所决定。随着漏电流IR(密度JR)升高,发热量增大,若这个能量不能散失,元件的温度会很快上升,这种元件在维持一段初始稳定状态后,终将达到热失控(击穿)的温度而结束其使用寿命。
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压敏电阻交流作用下的老化机理
交流作用下。在正半周时,假设右侧为正极性,电压主要加在右侧的耗尽层上,使右侧的Zni向晶界迁移,而左侧所加电压很低,Zn
i向晶粒内迁移不大;在负半周,电压主要加在左侧,使左侧Zni向晶界迁移,右侧这时所加电压很低,Zni向晶粒体内迁移不大。总的结果是左右两侧的Zni都向晶界迁移。
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