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氧化锌压敏电阻的缺陷：

ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo，负一价和负二价的

VZn ，正一价的DZn。VZn主要在晶界处，VZn为受主态，使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒，约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态，是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。

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压敏电阻的物理特性：

ＺｎＯ　压敏电阻的非线性是一种晶粒边界现象，即在相 邻晶粒耗尽层中存在多数电荷载流子（电子）的势垒。认 为肖特基势垒像　ＺｎＯ　微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界 上的负表面电荷（电子捕获）是由晶界面两侧晶粒的耗尽 层的正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传 输机制。 近发展的压敏电阻势垒的晶粒边界缺陷模型在改进 稳电压应力下，压敏电阻的稳定性上取得了很大进展。

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压敏电阻介入系统后，除了起到'安全阀'的保护作用外，还会带入一些附加影响，这就是所谓'二次效应'，它不应降低系统的正常工作性能。这时要考虑的因素主要有三项，一是压敏电阻本身的电容量（几十到几万PF），二是在系统电压下的漏电流，三是压敏电阻的非线性电流通过源阻抗的耦合对其他电路的影响。

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