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ZnO是六方晶系纤锌矿结构，其化学键处于离子键与共价键的中间键型状态，氧离子以六方密堆，锌离子占据一半的四面体空隙，锌和氧都是四面体配位。ZnO是相对开放的晶体结构，开放的结构对缺陷的性质及扩散机制有影响，所有的八面体间隙和一半的四面体间隙是空的，正负离子的配位数均为4，所以容易引入外部杂质，ZnO熔点为2248，密度为5.6g/cm3，纯净的ZnO晶体，其能带由02-的满的2p电子能级和Zn2+的空的4s能级组成，禁带宽度为3.2～3.4eV，因此，室温下，满足化学计量比的纯净ZnO应是绝缘体，而ZnO中常见的缺陷是金属填隙原子，所以它是金属过剩(Zn1+xO)非化学计量比n型半导体。

Eda等认为，在本征缺陷中，填隙锌原子扩散快，对压敏电阻稳定性有很大影响。

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电源线之间或电源线和大地之间的连接，作为压敏电阻器，有代表性的使用场合是在电源线及长距离传输的信号线遇到雷击而使导线存在浪涌脉冲等情况下对电子产品起保护作用。一般在线间接入压敏电阻器可对线间的感应脉冲有效，而在线与地间接入压敏电阻则对传输线和大地间的感应脉冲有效。若进一步将线间连接与线地连接两种形式组合起来，则可对浪涌脉冲有更好的吸收作用。

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压敏电阻直流作用下的老化机理

直流作用下。反偏压侧的Zni向晶界迁移，中和了部分VZn，使表面受主态密度下降，势垒降低，阻性电流增大。直流电压作用下的老化不对称，是因为测试电压极性如与老化时加的电压一致，电压主要加在正极性侧的耗尽层上，而这一侧可迁移的填隙锌离子已不多；如极性相反，则电压主要加在另一侧的耗尽层上，而这侧有大量的填隙锌离子，所以阻性电流大。

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