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ZnO是六方晶系纤锌矿结构，其化学键处于离子键与共价键的中间键型状态，氧离子以六方密堆，锌离子占据一半的四面体空隙，锌和氧都是四面体配位。ZnO是相对开放的晶体结构，开放的结构对缺陷的性质及扩散机制有影响，所有的八面体间隙和一半的四面体间隙是空的，正负离子的配位数均为4，所以容易引入外部杂质，ZnO熔点为2248，密度为5.6g/cm3，纯净的ZnO晶体，其能带由02-的满的2p电子能级和Zn2+的空的4s能级组成，禁带宽度为3.2～3.4eV，因此，室温下，满足化学计量比的纯净ZnO应是绝缘体，而ZnO中常见的缺陷是金属填隙原子，所以它是金属过剩(Zn1+xO)非化学计量比n型半导体。

Eda等认为，在本征缺陷中，填隙锌原子扩散快，对压敏电阻稳定性有很大影响。

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漏电流IL

漏电流(mA)也称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和直流过压敏电阻器电流。IEC对漏电流 IL较为普遍的定义是：环境温度25℃时，在压敏电阻上施加其所属规格的连续直流工作电压UDC时，流过压敏电阻的直流电流。

一般而言，在材料配方和烧结工艺固定的情况下，漏电流适中的压敏电阻具有较好的安全性和较长的寿命。

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氧化锌压敏电阻因具有良好的非线性特性而成为低压电源系统和信息系统中电涌防护的主要设施。其可靠性主要取决于压敏电阻耐受电涌冲击的能力。一个性能良好的氧化锌压敏电阻在经受电涌冲击以后,其电气特性应返回到初始状态。然而在运行过程中,由于经受诸如电应力、机械应力等各种应力的作用,压敏电阻会出现性能劣化和老化现象,这就降低了压敏电阻电涌防护的能力。研究人员采用了多种测量及诊断装置来研究压敏电阻的老化机理及检测金属氧化物压敏电阻内部的状态[1～2]。一般经常采用的方法是测量直流1mA下压敏电阻两端的电压或者测量压敏电阻在一定幅值8/20电流冲击下的残压来对压敏电阻的电气性能进行分析判断。但是这些测试方法只能反映压敏电阻的整体性能,不能反映压敏电阻的老化及劣化的程度,所以无法为判断压敏电阻的性能状态提供可靠的判据。

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