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压敏电阻_510V压敏电阻_过压保护|防雷(多图)：

压敏电阻采购，就选源林电子，品类丰富

ZnO是六方晶系纤锌矿结构，其化学键处于离子键与共价键的中间键型状态，氧离子以六方密堆，锌离子占据一半的四面体空隙，锌和氧都是四面体配位。ZnO是相对开放的晶体结构，开放的结构对缺陷的性质及扩散机制有影响，所有的八面体间隙和一半的四面体间隙是空的，正负离子的配位数均为4，所以容易引入外部杂质，ZnO熔点为2248，密度为5.6g/cm3，纯净的ZnO晶体，其能带由02-的满的2p电子能级和Zn2+的空的4s能级组成，禁带宽度为3.2～3.4eV，因此，室温下，满足化学计量比的纯净ZnO应是绝缘体，而ZnO中常见的缺陷是金属填隙原子，所以它是金属过剩(Zn1+xO)非化学计量比n型半导体。

Eda等认为，在本征缺陷中，填隙锌原子扩散快，对压敏电阻稳定性有很大影响。

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压敏电阻采购，就选源林电子，自有技术团队

氧化锌压敏电阻器已经越来越多地走进了人们的视线，在通讯供电以及智能产品上都能够看见到他的身影。那么这种压敏电阻器在应用过程中的优点有哪一些呢，让我们来看看吧

(1) 通流容量大

(2) 限制电压低

(3) 响应速度快

(4) 无续流

(5) 对称的伏安特性(即产品无极性)

(6) 电压温度系数低

源林电子是一家专业研发、生产压敏电阻的高科技电子元器件企业。主营压敏电阻、热敏电阻和温度传感器，自有研发团队，厂家直销！

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残压比KR  

通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。

残压比KR的定义公式为：

KR =UR/UN

残压比可以比较直观地反应出压敏电阻限制过电压的能力，在压敏材料的研究工作中已得到广泛的应用，在防雷压敏电阻、避雷器阀片和高能型压敏电阻阀片中以成为标准电性能参数。

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