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ZnO是六方晶系纤锌矿结构，其化学键处于离子键与共价键的中间键型状态，氧离子以六方密堆，锌离子占据一半的四面体空隙，锌和氧都是四面体配位。ZnO是相对开放的晶体结构，开放的结构对缺陷的性质及扩散机制有影响，所有的八面体间隙和一半的四面体间隙是空的，正负离子的配位数均为4，所以容易引入外部杂质，ZnO熔点为2248，密度为5.6g/cm3，纯净的ZnO晶体，其能带由02-的满的2p电子能级和Zn2+的空的4s能级组成，禁带宽度为3.2～3.4eV，因此，室温下，满足化学计量比的纯净ZnO应是绝缘体，而ZnO中常见的缺陷是金属填隙原子，所以它是金属过剩(Zn1+xO)非化学计量比n型半导体。

Eda等认为，在本征缺陷中，填隙锌原子扩散快，对压敏电阻稳定性有很大影响。

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氧化锌压敏电阻在交流电压作用下的老化：

当施加交流电压一定时间后，氧化锌压敏电阻的U-I特性曲线发生对称变化，除了特性曲线的变化是对称的特点外，改变的趋势与施加直流电压的趋势相近。试验时所施加的交流电压梯度为65V/mm，温度为70℃。试验还表明，不论是直流还是交流作用电压，老化试验后压敏电阻U-I 特性在预击穿区（即低电场区域）的变化程度要比击穿区即（中电场区域）大得多。

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压敏电阻器在电路的过电压防护中，如果正常工作在预击穿区和击穿区，理论上是不会损坏的。但由于压敏电阻器要长期承受电源电压，电路中暂态过电压、超能量过电压随机的不断冲击及吸收电路储能元件释放能量，因此，压敏电阻器也是会损坏的它的寿命根据所在电路经受的过电压幅值和能量的不同而不同。

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