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片状压敏电阻器,压敏电阻器,过压保护|防雷

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    静态电容量(PF)

    静态电容量指压敏电阻器本身固有的电容容量。

    响应时间τ

    IEEE定义的压敏电阻的响应时间τ并不是压敏电阻材料本身的特性,而是由测试波形、引线、印制电路版的布线方式、外部测试连接线,以及它们所构成的磁环路等外部原因造成的,根据这一定义,对8/20 μs标准雷电流波或TS>8 μs的电流波,压敏电阻的响应时间τ=0。

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    压敏电压U1mA

    压敏电阻的线性向非线性转变的电压转变时,位于非线性的起点电压正好在I-V曲线的的拐点上,该电压确定为元件的启动电压,也称为压敏电压,是由阻性电流测试而得的。由于I-V曲线的转变点清晰度不明显,多数情况下是在通1mA电流时测量的,用U1mA来表示。对于一定尺寸规格的ZnO压敏电阻片,可通过调节配方和元件的几何尺寸来改变其压敏电压。亦有使用10mA电流测定的电压作为压敏电压者,以及使用标称电流测试者,标称电压定义为0.5mA/cm2,电流密度测定的电场强度E0.5表示,对于大多数压敏电阻器而言,这个值更接近非线性的起始点。3. 漏电流IL压敏电阻器进入击穿区之前在正常工作电压下所流过的电流,称为漏电流IL。漏电流主要由三部分贡献:元件的容性电流,元件的表面态电流和元件晶界电流。一般对漏电流的测量是将0.83倍U1mA的电压加于压敏电阻器两端,此时流过元件的电流即为漏电流。根据压敏电阻器在预击穿区的导电机理,漏电流的大小明显地受到环境温度的影响。当环境温度较高时,漏电流较大;反之,漏电流较小。可以通过配方的调整及制造工艺的改善来减小压敏电阻器的漏电流。研究低压元件的漏电流来源是很重要的,为了促进ZnO晶粒的长大,低压元件中通常会添加大量的TiO2,过量掺杂造成压敏元件漏电流增大[6]~[9],在元件性能测试时容易引入假象,例如压敏电压和启动电压偏离较大。测试元件的非线性时,我们希望漏电流以通过晶界的电流为主。但低压元件普遍存在吸潮现象,初烧成的低压元件漏电流可以保持在4~20μA内,放置8~24h后,元件的漏电流可以增大到200μA。这样的元件的晶界非线性并没有被破坏,但却表现出非线性低,压敏电压也稍有降低的表象。

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    它具有电压非线性系数a大,残压低,浪涌耐量大,使用电压范围宽(从几伏到几十万伏),伏安特性陡峭且对称,对脉冲响应时间快,而且无续流,漏电流小(uA),电压随温度变化小等特有的优点。高能氧化锌压敏电阻器还具有低场强、高能容的特点。近年来的电力系统、电子线路中,吸收大气过电压和操作过电压,在超导移能和发电机组灭磁、电器设备、半导体器件及各种电机过压保护等方面具有广泛的应用前景。

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