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老化机理:
曾经被认为是老化的起因的有电子陷阱,偶极子转向,氧脱附和离子迁移,目前能证实的只有填隙锌离子迁移。一般认为老化是晶界现象,是由于耗尽层内离子迁移,而Zni是主要的迁移离子。
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非线性区域:
中电场区为非线性区域,也是压敏电阻器应用中重要的区域,导电机理主要是隧道电流及空穴生成降低势垒。如只考虑隧道效应J = J0exp(-λ/E),λ为3π(2m)1/2φ3/2/2he,E为耗尽层中的电场强度,算出的a值低于50。
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压敏电阻的物理特性:
ZnO 压敏电阻的非线性是一种晶粒边界现象,即在相 邻晶粒耗尽层中存在多数电荷载流子(电子)的势垒。认 为肖特基势垒像 ZnO 微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界 上的负表面电荷(电子捕获)是由晶界面两侧晶粒的耗尽 层的正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传 输机制。 近发展的压敏电阻势垒的晶粒边界缺陷模型在改进 稳电压应力下,压敏电阻的稳定性上取得了很大进展。
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