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ZnO晶相位于晶粒体内，为低电阻率的半导体，对大电流特性有决定性作用。ZnO半导化的原因主要是氧不足导致的非化学计量比和施主掺杂，有大量的导电电子存在，为n型半导体。富铋相，约在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，温度低于850℃参与形成焦绿石相，超过850℃后从焦绿石相中分离出来，生成含

Cr的富铋相，含有尖晶石相和Zn，随着温度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有稳定尖晶石相的作用，高温冷却时，可以阻止生成焦绿石相。 焦绿石相700-900℃时形成，850℃时达到峰值，约950℃时消失，

反应式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

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预击穿区：是指在此区域内，施加于压敏电阻器两端的电压小于其压敏电压，其导电属于热激发电子电导机理。因此，压敏电阻器相当于一个10MΩ以上的绝缘电阻，这时通过压敏电阻器的阻性电流仅为微安级，可看作为开路。该区域是电路正常运行时压敏电阻器所处的状态。

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ZnO压敏电阻器是一类电阻值与外加电压成显著的非线性关系的半导体陶瓷，其U-I特性关系式:

                                                           I=(U/C)α

ZnO压敏电阻器常用的性能参数有压敏电压漏电流、非线性系数、通流值、能量耐量、限制电压比等，其中压敏电压、漏电流、非线性系数表示了压敏电阻器的小电流特性，通流值、能量耐量、限制电压比则表示的是峰值电流特性。

此外，表征压敏元件性能参数还有电压温度系数，固有电容等。

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