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    通流量(峰值电流)Im

    通流容量(kA)也称通流量,是指在规定的条件(规定的时间间隔和次数,施加标准的冲击电流)下,允许通过压敏电阻器上的脉冲(峰值)电流值。目前大多数厂家在说明书中通常给出两个通流量指标,一个是冲击一次的指标,另一个是冲击两次(间隔5分钟)的指标。

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    ZnO是六方晶系纤锌矿结构,其化学键处于离子键与共价键的中间键型状态,氧离子以六方密堆,锌离子占据一半的四面体空隙,锌和氧都是四面体配位。ZnO是相对开放的晶体结构,开放的结构对缺陷的性质及扩散机制有影响,所有的八面体间隙和一半的四面体间隙是空的,正负离子的配位数均为4,所以容易引入外部杂质,ZnO熔点为2248,密度为5.6g/cm3,纯净的ZnO晶体,其能带由02-的满的2p电子能级和Zn2+的空的4s能级组成,禁带宽度为3.2~3.4eV,因此,室温下,满足化学计量比的纯净ZnO应是绝缘体,而ZnO中常见的缺陷是金属填隙原子,所以它是金属过剩(Zn1+xO)非化学计量比n型半导体。

    Eda等认为,在本征缺陷中,填隙锌原子扩散快,对压敏电阻稳定性有很大影响。

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    ZnO 压敏电阻的微观结构分析发现,形成的四个主要 成分是 ZnO、尖晶石、焦绿石和一些富 Bi 相(图 3)。图 中也指明了组分存在的部位,还存在一些用现有技术尚不 易检测出来的其它次要相。 ZnO 压敏电阻的典型晶粒尺寸在15和20μm 之间, 并且也总是伴有双晶。SiO2的存在抑制晶粒生长,而 TiO2  和 BaO 则加速晶粒长大。尖晶石和焦绿石相对晶粒长大有 抑制作用。焦绿石相在低温时起作用,而尖晶石相在高温 时有利。当用盐酸浸蚀晶粒时,中间相呈现出在电性上绝 缘的三维网络。 烧结形成的 ZnO 晶粒是 ZnO 压敏电阻的基本构成单纯 ZnO 是具有线性 I-U 特性的非化学计量 n 型半导 体。进入  ZnO  中的各种添加物使其具有非线性。这些氧 化物中主要是  Bi 2O3。这些氧化物的引入,在晶粒和晶粒 边界处形成原子缺陷,施主或类施主缺陷支配着耗尽层, 而受主和类受主缺陷支配着晶粒边界状态。相关的缺陷类 型是锌空位(V Zn'、V Zn'')、氧空位(V o 、V o )、填隙锌

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