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通流量（峰值电流）Im

通流容量(kA)也称通流量，是指在规定的条件（规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的脉冲（峰值）电流值。目前大多数厂家在说明书中通常给出两个通流量指标，一个是冲击一次的指标，另一个是冲击两次（间隔5分钟）的指标。

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ZnO是六方晶系纤锌矿结构，其化学键处于离子键与共价键的中间键型状态，氧离子以六方密堆，锌离子占据一半的四面体空隙，锌和氧都是四面体配位。ZnO是相对开放的晶体结构，开放的结构对缺陷的性质及扩散机制有影响，所有的八面体间隙和一半的四面体间隙是空的，正负离子的配位数均为4，所以容易引入外部杂质，ZnO熔点为2248，密度为5.6g/cm3，纯净的ZnO晶体，其能带由02-的满的2p电子能级和Zn2+的空的4s能级组成，禁带宽度为3.2～3.4eV，因此，室温下，满足化学计量比的纯净ZnO应是绝缘体，而ZnO中常见的缺陷是金属填隙原子，所以它是金属过剩(Zn1+xO)非化学计量比n型半导体。

Eda等认为，在本征缺陷中，填隙锌原子扩散快，对压敏电阻稳定性有很大影响。

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ＺｎＯ　压敏电阻的微观结构分析发现，形成的四个主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦绿石和一些富　Ｂｉ　相（图　３）。图 中也指明了组分存在的部位，还存在一些用现有技术尚不 易检测出来的其它次要相。 ＺｎＯ　压敏电阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之间， 并且也总是伴有双晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生长，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　则加速晶粒长大。尖晶石和焦绿石相对晶粒长大有 抑制作用。焦绿石相在低温时起作用，而尖晶石相在高温 时有利。当用盐酸浸蚀晶粒时，中间相呈现出在电性上绝 缘的三维网络。 烧结形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　压敏电阻的基本构成单纯　ＺｎＯ　是具有线性　Ｉ－Ｕ　特性的非化学计量　ｎ　型半导 体。进入　 ＺｎＯ　 中的各种添加物使其具有非线性。这些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。这些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 边界处形成原子缺陷，施主或类施主缺陷支配着耗尽层， 而受主和类受主缺陷支配着晶粒边界状态。相关的缺陷类 型是锌空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙锌

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